Список разделов Flyback.org.ru » Мат. каф. » Модель редактируемого MOSFET/IGBT
Тему сейчас просматривают - зарегистрированных: 0, скрытых: 0 и гостей: 0
Зарегестрированные - Нет
тема: Модель редактируемого MOSFET/IGBT
Ответить с цитатой

Пружина
Экзорцист


Известно, что в каде можно редактировать параметры элементов, вот заинтересовало, нельзя ли сделать модель ключа, которую можно было бы редактировать не с помощью ковыряния текстового файла, а непосредственно в модели.Т.е. щёлкаешь на неё и выпадает меню со вводом полной таблицы параметров.Кто-нибудь из присутствующих может такое накодить?А то часто бывает, что подходящей модели нет, или же нужно перерыть кучу папок, а это аццки долго и неудобно.Возможно такое?

Добавлено: Fri Apr 15, 2011 1:19 am
Ответить с цитатой

neon
ПИЗДАБОЛ


не знаю что за кад ты имел ввидУ, но в Micro-Cap 10 насколько я помню, всё делается без особых Усилий.

Добавлено: Fri Apr 15, 2011 7:32 am
Ответить с цитатой

Пружина
Экзорцист


SwCAD LTspice IV

Добавлено: Fri Apr 15, 2011 1:02 pm
Ответить с цитатой

neon
ПИЗДАБОЛ


не сталкивался с данной программой. СУдя по её размерУ библиотек там мало, хотя могУ ошибаться.

Добавлено: Fri Apr 15, 2011 4:50 pm
Ответить с цитатой

KaV
 


Пружина

А какие параметры ты хочешь указывать? Вот два классических примера: слева - библиотечный по простой модели, справа - внешний по сложной модели.

Добавлено: Sun Apr 17, 2011 1:53 am
Draft7.asc (1.23 Кб)
Ответить с цитатой

Пружина
Экзорцист


Для тех, кто в бронепоезде(т.е. для меня) - как так сделано, что всё описание на схеме и второе - хотелось бы знать полную расшифровку модели.
Параметры интересуют многие.Ёмкости, сопротивление, временные характеристики ключа и восстановления диода(про это ты мне уже отвечал), напряжение стабилитрона...Вроде всё, что вспомнил, но вероятно я что то важное забыл или никогда не знал.Разве что индуктивности выводов не имеют принципиального значения(из-за монтажа).

Добавлено: Sun Apr 17, 2011 9:26 pm
Ответить с цитатой

KaV
 


Описание на схеме - весьма просто: вставляется под видом "SPICE directive" описание нужной модели (конкретно это - из lib\sub\irfp450a.spi), затем кидается подходящий символ компонента (в примере - XNMOS) и ему в строке SpiceModel указывается имя модели.

В прилагаемом примере я насколько смог изобразил то, что описано в .SUBCKT irfp460a
В тестовой модели изображён MOSFET с кучкой обвязки, приближающей полуидеальный кристалл к реальному.

Ёмкости задаются в основном в модели транзистора в фарадах на метр ширины канала (Cgso, Cgdo), затем указывается масштаб канала реального транзистора ( L=100u W=100u). При этом сам канал-транзистор может задаваться множеством способов, см. "M. MOSFET" в справке.

Сопротивление канала в данной конкретной модели складывается из сопротивления объявленного транзистора и RD на 0,17 Ом.

Добавлено: Tue May 03, 2011 10:20 pm
ext_par.asc (3.92 Кб)
Список разделов Flyback.org.ru » Мат. каф. » Модель редактируемого MOSFET/IGBT
    Просмотр темы целиком



Лицензионное соглашение

(c)Flyback.org.ru
Российское общество любителей высоких напряжений.
Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации.