Вход Регистрация Jabber FAQ Пользователи Поиск Список разделов Flyback.org.ru
Самый большой форум по катушкам Тесла и другим высоковольтным устройствам

Важная информация:
Данный форум предполагает у его пользователей хотя бы некоторые знания в области электроники и высоких напряжений, поэтому не стоит обижаться, если вам не будут отвечать на элементарные вопросы.
Поиск по форуму
Список разделов Flyback.org.ru » SSTC Solid State Tesla Coil » Первая DRSSTC от Aleph'a

Тему сейчас просматривают - зарегистрированных: 0, скрытых: 0 и гостей: 0
Зарегестрированные - Нет

Начать новую тему
Ответить на тему
neon
ПИЗДАБОЛ


Ответить с цитатой  

гнать можно, но в разумных пределах. Я же так и написал: "начинать прощаться", т.е. работаем в области исключения из правил.


Добавлено: Mon Jan 23, 2012 10:47 am
Legate
 


Ответить с цитатой  

Never exceed the gate-voltage
rating of VGEM. Exceeding the rated VGE can result in
permanent damage to the oxide layer in the gate region.


Добавлено: Mon Jan 23, 2012 10:52 am
BSVi
 


Ответить с цитатой  

Рельно, слой оксида там расчитан на то, чтобы выдерживать полное напряжение питания транзистора (просто посмотрите на структуру мофета - в гейтовой зоне падает все напряжение). Другое дело, что при заряде-разряде, гейт греется. Производитель пишет максимальное напряжение из самых жестких условий - самая высокая температура, максимальная частота и CW режим. В случае ДРки можно и овердрайвить. С другой стороны, большого смысла в мега-напряжениях на гейте всеравно нет.


Добавлено: Mon Jan 23, 2012 12:19 pm
TAN
 


Ответить с цитатой  

БСВи, не путай жопу с пальцем. Если речь идет об области, где граничат затвор и диффузионная область стока, то оные в нормальной проекции не перекрываются. Посему поле там идет под углом и эффективная толщина оксида получается сильно больше.
Гейт греется если он из поликремния, например в процессоре. И не сам гейт, а скорее подводка.
Максимальное напряжение на затворе зависит от температуры. При чем тут частота - ХЗ. Скорость лавинного пробоя оксида на порядки больше постоянной цепи затвора.
Овердрайвинг по входу не подразумевает превышение напряжения пробоя оксида. Он подразумевает прокачку большего тока через объемное сопротивление канала на фронтах импульса. При этом избыток падает на этом сопротивлении а не на емкости затвор-канал.


Добавлено: Mon Jan 23, 2012 2:54 pm
neon
ПИЗДАБОЛ


Ответить с цитатой  

[BSVi] Взять для примера IGBT. Посмотри на распределение электрического поля в кристалле и станет понятно, что это не так.

Опять, возьмём IGBT. В процессе включения нам необходимо быстро зарядить ёмкости Cge, Cgc и Cge. При этом в процессе заряда (большая часть времени) Cge (первичный входной заряд) нет I коллектора, а U на переходе "коллектор-эмиттер" не изменяется (= U питания).

Нам выгодно быстро зарядить Cge, т.к. данный процесс не вносит вклад в открытие транзистора. Это приводит к форсированию перехода транзистора в режим насыщения со всеми вытекающими достоинствами и недостатками.

Дальше. Меняя U на затворе, мы непосредственно влияем на "ток самоограничения" расширяя ОБР при токе свыше номинального. U на затворе при этом должно быть больше 15 В.

Есть ещё и др. процессы, но главное я написал.

Вывод: в самом начале нам необходимо формировать форсирующее напряжение (форсирующий импульс управления) определённой длительности + повышать U на затворе. Драйвер по этой технологии есть, но пока как прототип. Сделаю тесты - опубликую результаты.

Дальше. Знаете наверно о зависимости электрической прочности диэлектрика от длительности импульса. Вот ещё одна подсказка.

Дальше. Есть экспериментальная зависимость количества импульсов тока через транзистор до выхода его из строя, от напряжения на затворе. Значение тока при этом в десятки раз превышало номинальный (КЗ), длительность - 10 мкс. При изменении U на затворе от 15 до 20 В транзисторы быстрей выходили из строя почти в 100 раз.

На быстрый выход из строя также влияют напряжение питания и температура корпуса транзистора.

Дальше. Есть ещё зависимость стойкости к перегрузкам от технологии изготовления IGBT. Зная это, можно оптимально выбрать транзисторы, а не ставить те, которые ставят многие. Это выходит за рамки данной темы и писать лень Smile

Вот и выходит, что это палка о 2-х концах.

TAN писал(а):
При чем тут частота - ХЗ

оксидный слой - это диэлектрик в конденсаторе. Для любого конденсатора есть зависимость допустимого напряжения от частоты. С повышением частоты допустимое U на затворе понижается. Аналогично и с температурой. В спецификации на транзистор допустимое U на затворе указывают с учётом всех этих условий.

Вот и подумай, от чего греется слой металла на оксиде.


Добавлено: Mon Jan 23, 2012 4:27 pm
TAN
 


Ответить с цитатой  

Диэлектрик, ЛОЛ. Там частоты какбе не те. Под затвором - кварц, и кварц очень чистый. А не полистирол.
ЗЫ Курим Дъяконова, конкретно - корректирующие цепи первого порядка в импульсных усилителях. Чего тут прототипировать-то? Это все 100 раз в ПТЭ обсосано.


Добавлено: Tue Jan 24, 2012 3:09 pm
LG
 


Ответить с цитатой  

Ребята, хорошь оффтопить, далеко ушли от темы, транзисторы работают при данных номиналах и не у одного человека причем. В даташите на данные ключи допускается +-30V в импульсном режиме.


Добавлено: Tue Jan 24, 2012 3:40 pm
Список разделов Flyback.org.ru » SSTC Solid State Tesla Coil » Первая DRSSTC от Aleph'a

На страницу Пред.  1, 2, 3, 4, 5, 6, 7     Просмотр темы целиком

Начать новую тему
Ответить на тему




Лицензионное соглашение

(c)Flyback.org.ru
Российское общество любителей высоких напряжений.
Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации.