Список разделов Flyback.org.ru » Компоненты схем и общие вопросы построения трансформаторных hv-источников » Класс Е и всё, что с ним связано
Тему сейчас просматривают - зарегистрированных: 0, скрытых: 0 и гостей: 0
Зарегестрированные - Нет
Ответить с цитатой

sifun
 


Как-как, подбирать. берёшь кусок провода и обломок ш. и мотаешь и смотришь на осцил. Лучше контур конечно.
Vortigont писал(а):

Кто-нибудь дайте уже схему Е-класса на 555, чтобы ничего не грелось, нагрузка - строчник.

Врядли схема поможет. Это не такая хуйня что копипастить можно.

Добавлено: Thu May 03, 2012 1:14 am
Ответить с цитатой

ksv
 


Shad писал(а):
Кстати, как рассчитывать дроссель последовательно первичке?
Начальная индуктивность дросселя берется такой, чтобы резонансная частота последовательного контура, образованного этим дросселем и емкостью, шунтирующей ключ (которая 2uF), была приблизительна равна резонансной частоте нагрузки. Затем помаленьку отматываете (двигаете витки для ВЧ или меняете зазор для СЧ-НЧ, если броник или шашка) и смотрите на осциллографе сигнал сток-исток. Пока не получится характерный "колокольчик" с нулем напряжения и нулем его производной (наклона кривой) справа (перед включением ключа). Желательно, при этом, еще иметь возможность слегка подстраивать частоту задающего генератора.

Добавлено: Thu May 03, 2012 4:34 am
Ответить с цитатой

neon
ПИЗДАБОЛ


интересная статья, т.к. связана именно с построением генератора класса Е для индукционного нагрева: "A novel class E RF self-oscillating topology for induction heating applications" [06020244.pdf]. Номиналов деталей нет, но при желании можно всё рассчитать.

Добавлено: Fri May 04, 2012 11:23 pm
06020244.pdf (296.27 Кб)
Ответить с цитатой

sifun
 


нее, он про другое. Если отбирать с класса е на низкодобротную нагрузку с размазанной ачх, то необходимо фильтровать высшие гармоники. это делается вторым дросселем и конденсатором.

Добавлено: Sat May 05, 2012 1:32 am
Ответить с цитатой

ksv
 


Да. Работа неплохая. Кстати, номиналы C0 и Cs для стандартной плитки там есть. А остальное - уже мелочи.
Но вот где в России сеть на 110 В найти? не знаю А от нашей сети эта штука не будет работать в принципе. плакаю

==================

Offtopic:
Единственное преимущество класса Е для низкочастотных приложений - простота.
Во всем остальном, ИМХО, класс DE гораздо интересней. Теоретически я в этом уже почти убедился. Сейчас потихоньку заканчиваю инвертор для экспериментов с классом DE. Он будет функционировать в достаточно широком диапазоне изменения базовых параметров (рабочая частота - от десятка кГц до 300-400 кГц, мощность - до нескольких кВт, напряжение питания 0 - 310 В, нагрузки - ИН, УЗ). Посмотрим на практике на что способен класс DE. Интересно "погонять" его "с пристрастием". Заодно и поставим точку в дилемме E vs DE для НЧ-СЧ-приложений. смех


Добавлено: Sat May 05, 2012 4:04 am
Ответить с цитатой

Шурик
Злодей


ksv писал(а):
Но вот где в России сеть на 110 В найти? Ты мну пугаешь. Чё страшного в разнице напруг? ужас

Добавлено: Sat May 05, 2012 4:27 am
Ответить с цитатой

ksv
 


В классе Е импульс напряжения исток-сток в 3.5 раза превышает напряжение питания инвертора. Это - в оптимальном режиме.

Сеть 110В - дает постоянку 155 В. Амплитуда импульсов на ключе получается 155*3.5 = 540 В. 600-вольтовые MOSFET-ы или IGBT еще тянут. Хотя уже лучше брать на 900 В.

А вот сеть 220 В дает уже 310 В постоянки. Т.е. амплитуда импульсов на ключе 310*3.5 = 1085 В. Нужен еще и запас пару сотен вольт. Уже только высоковольтные ключи. Они и по параметрам хуже и недешевы.

Вот дождемся когда из карбида кремния ключи будут также распространены, как IRFP460. Вот тогда заживем! восторг

Добавлено: Sat May 05, 2012 4:57 am
Ответить с цитатой

sifun
 


продаётся и работает. на 1200вольтовом игбт.

Добавлено: Sat May 05, 2012 7:44 am
Ответить с цитатой

Aleksandr Worf
 


Только IGBT на 1200 вольт медленные шо песец. Едва до половины мегагерца дотянут.

Добавлено: Sat May 05, 2012 7:47 am
Ответить с цитатой

neon
ПИЗДАБОЛ


[ksv] я нашёл аналогичную статью и там есть расчёт всех элементов. Только там мощность меньше, но это мелочи.

ksv писал(а):
В классе Е импульс напряжения исток-сток в 3.5 раза превышает напряжение питания инвертора. Это - в оптимальном режиме.
есть схемотехнические способы снизить это соотношение. Насколько я помню, там напряжение на ключе не больше, чем в 2,5 раза превышает напряжение питания (с запасом).

Добавлено: Sat May 05, 2012 8:17 am
Ответить с цитатой

ksv
 


Aleksandr Worf писал(а):
Только IGBT на 1200 вольт медленные шо песец. Едва до половины мегагерца дотянут.
Для IGBT пол-мегагерца - это круто! Я таких еще не встречал. А что за транзисторы?

У меня из более-менее мощных высоковольтных есть только HGTG18N120BN. Но они на разумных токах вряд ли до сотни кГц доберутся... См. вложение.
=====================

To neon. На вскидку ссылку сейчас не вспомню, но то что около 3.5 - точно. Вспомню - скажу. Да и сам неоднократно смотрел на моделях, да и в реале. Боюсь, тут (на одном транзисторе) природу не обманешь. Двоечка - это push-pull и обычный четверть мост.

Поскольку для меня этот вопрос был критичен - специально обращал внимание. Поэтому и пошел в класс DE. Там этой беды нет.

Добавлено: Sat May 05, 2012 8:40 am
HGTG18N120BN Operating Frequency vs Current.png (68.13 Кб)

Ответить с цитатой

neon
ПИЗДАБОЛ


[ksv] верно, соотношение составляет 3,562 при коэффициенте заполнения 50%. Дальше только на 2-х транзисторах и не обязательно это должна быть 2-х тактная схема.

ksv писал(а):
Для IGBT пол-мегагерца - это круто!
Некоторые IGBT позволяют работать на высоких частотах (500 кГц). Как вариант использовать SiC-IGBT, которые практически не найти в продаже или они очень дорогие.

Добавлено: Sat May 05, 2012 9:09 am
Ответить с цитатой

Денис
 


Подтверждаю, в поющем Е при 12В питающего было в районе 40В амплитуды, в отсутствии модуляции. С модуляцией пиковое скакало вверх-вниз относительно этой точки (на осциллографе, тут после 1:30 мин).

Добавлено: Sun May 06, 2012 4:20 pm
Ответить с цитатой

ksv
 


Кстати, вот один из интересных вариантов снижения выбросов на ключе (до примерно двоечки) - класс фи (Class Ф).

Добавлено: Mon May 07, 2012 4:31 am
Class_Ф.png (59.51 Кб)

A 900W, 300V to 50V Dc-dc Power Converter with a 30MHz Switching Frequency.pdf (2.91 Мб)
A high-frequency resonant inverter topology with low voltage stress.pdf (1.22 Мб)
Ответить с цитатой

Денис
 


Кстати, Shad. В последней статье приводится модельная осцилограмма, прямо как ты выкладывал недавно ( в статье - Fig.8 ). Я так понимаю, что это от паразитных параметров монтажа?

Добавлено: Mon May 07, 2012 9:56 am
Ответить с цитатой

Shad
 


Ех, ну почему же вся информация на английском, в котором я так не силен.
А вот у меня всё очень криво настроено, амплитуда равна питающему напряжению.

Добавлено: Mon May 07, 2012 10:09 am
Ответить с цитатой

Денис
 


А в чем проблема? Берешь текст со страницы.. 2710 что-ли. Копируешь в гугель-транслейт и читаешь, глядя параллельно на буржуйскую версию.

Добавлено: Mon May 07, 2012 10:17 am
Ответить с цитатой

Shad
 


Ден, касаемо твоего вопроса.
Проблема в 555. На выходе у неё какая-то гадость твориться.
Придется ставить диод Шотки между затвором и минусом, как сифун говорил.
И вообще, там уже не меандр. Надо сделать новый задающий ген на 555.
Добавил дроссель последовательно первичке(5 витков на совковом ферите) и сигнал стал похож на полусинус, но и амплитуда упала.
Надо всё это настраивать, а у меня нифига не получается.

Добавлено: Mon May 07, 2012 11:02 am
100_2123.JPG (185.44 Кб)

100_2119.JPG (171.84 Кб)

Ответить с цитатой

neon
ПИЗДАБОЛ


[ksv] я видел данные статьи, но не стал о них писать, т.к. это модификация классов Е + F (выделили в отдельный класс). Этот бы освоить в полной мере Smile

Вот статьи, которые стояли в основе:

"High-Efficiency Class E, EF2, and E/F3 Inverters" (Kaczmarczyk, Z.) [01705650.pdf]
"New Architectures for Radio-Frequency DC–DC Power Conversion" (Juan M. Rivas, Riad S. Wahby, John S. Shafran, and David J. Perreault) [01603670.pdf]
"Radio-frequency inverters with transmission-line input networks" (Phinney, J.W.; Perreault, D.J.; Lang, J.H.) [01712260.pdf]

и ещё десятки различных статей по различным модификациям Smile

[Shad] сигнал с задающего генератора далёк от нормального.

Добавлено: Mon May 07, 2012 11:11 am
01712260.pdf (3.52 Мб)
01705650.pdf (446.84 Кб)
01603670.pdf (1.04 Мб)
Ответить с цитатой

Shad
 


neon, хотелось бы знать, откуда такая кривизна появляется.

Добавлено: Mon May 07, 2012 12:29 pm
Ответить с цитатой

neon
ПИЗДАБОЛ


[Shad] честно, я с таймером 555 не работал вообще. Может быть проще взять и сделать генератор на логике?

Знакомая картинка на рис.? "а" - это U между затвором и истоком транзистора (синусоидальное с искажениями), "с" - U между стоком и истоком транзистора (холостой ход). Если сигнал на затворе "b" нормальный (без искажений), то и U сток-исток "e" тоже без паразитных колебаний (нормальный режим). У тебя под нагрузкой на выходе генератора появляются искажения и соот. паразитные колебания, т.е. наоборот, чем на рис. Вот тебе и ответ на твой вопрос.

Добавлено: Mon May 07, 2012 1:05 pm
S0001.jpg (78.16 Кб)

Ответить с цитатой

Денис
 


Так это под нагрузкой, или голый ген на 555 такой сигнал дает?

Добавлено: Mon May 07, 2012 7:30 pm
Ответить с цитатой

neon
ПИЗДАБОЛ


[Денис] смотри сигнал на прошлой стр., там и так и так есть. На ХХ искажений практически нет.

Добавлено: Mon May 07, 2012 9:08 pm
Ответить с цитатой

Shad
 


Да, neon прав. Помехи появляются при нагрузке.

Добавлено: Mon May 07, 2012 9:10 pm
Ответить с цитатой

Shad
 


Итак, я нашел проблему, но не знаю, как её решить.
Подключил двухканальный режим на осциллографе и ужаснулся. Смотрите сам и поймете.
Теперь вопрос, от чего зависит длительность "колокольчика" ?
В какую сторону думать?

Добавлено: Tue May 08, 2012 7:17 pm
100_2129.JPG (153.62 Кб)

Список разделов Flyback.org.ru » Компоненты схем и общие вопросы построения трансформаторных hv-источников » Класс Е и всё, что с ним связано
На страницу Пред.  1, 2, 3, 4  След.     Просмотр темы целиком



Лицензионное соглашение

(c)Flyback.org.ru
Российское общество любителей высоких напряжений.
Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации.