конденсатор на напряжение до 2кВ ёмкостью 1 нФ Добавлено: Mon Mar 21, 2022 11:39 am |
конденсатор на напряжение до 2кВ ёмкостью 1 нФ Добавлено: Mon Mar 21, 2022 11:39 am |
Какую полезную информацию в данном случае представляет собой указание максимального напряжения конденсатора? Добавлено: Mon Mar 21, 2022 12:06 pm |
Preact= 2*pi*f*C*U^2*tan габариты корпуса- дают максимальную активную мощность tan- потери U- допустимое напряжение на постоянку. или Uас= 0.707*U на частоте 1кгц С- емкость т.о можно найти предельную частоту работы данного конденсатора в схеме вольт добавки. Схема стандартная и описана в даташитах IRF Добавлено: Mon Mar 21, 2022 12:40 pm |
С выхода полумоста через конденсатор ёмкостью 1000пФ, рассчитанный на рабочее напряжение 2кВ напряжение через выпрямитель идёт на ирку. Я же специально даташит приложил с типовой схемой включения. Разобрался с бедой. Оказывается из-за малого сопротивления затвора (22 Ом) защёлкивался верхний драйвер из-за срабатывания паразитной тиристорной структуры. Тока вполне хватало для выжигания маталлизации на кристалле. Хотя фирменный балласт дизайнер от IR выдал мне по 20 Ом на каждый затворный резюк. Поставил по 47Ом - полёт нормальный. В IR2104 подубовей драйвера - я ставил 6,8Ом затворные резисторы, и всё работало. Но там драйвер не выдавал тока близкого к 0,5А, а вот IR2166 может запросто 400мА и выше - а паразитный тиристор как раз отпирается токами выше 0,5А. Ещё момент - 2104 управляла БТИЗ, а 2166 - МОП транзисторами, соответственно скорости нарастания с МОП-транзисторами выше, чем с БТИЗ, соответственно больше вероятность защёлкивания. Лично я впервые сталкиваюсь с защёлкиванием драйверных микросхем IR21xx. Рекомендация - затворные резюки не меньше 47Ом. 33Ом не проверял - последняя микросхема. Добавлено: Mon Mar 21, 2022 6:11 pm |
Вот так новости. Ну, спасибо за инфо. Тоже не сталкивался. Может паленая? Добавлено: Mon Mar 21, 2022 8:23 pm |
Денис писал(а): Может паленая? 7 (семь) микросхем, купленных в разных радиомагазинах бесславно погибли не проработав и минуты. Причём, МОП-транзисторы оставались целыми! После увеличения сопротивления затворных резюков ККМ + полумост вполне адекватно работали непрерывно минут двадцать. За весь день при отладке макета конструкция проработала час точно. Перезапускал макет не менее двадцати раз по ходу экспериментов. Микросхема живая. Но мощность с неё можно выжать ватт 300-350, не больше. При питалове от лабораторника целая микросхема (сегодняшняя) при увеличении свыше 11В (защита от пониженного) начинала жрать не более 0,01А, о предыдущие после сгорания верхнего драйвера после запуска начинали жрать 0,06А. Таки дела. Добавлено: Mon Mar 21, 2022 8:48 pm |
Денис писал(а): Тоже не сталкивался.Сталкивался на баянных 2110. Только там у меня бахала вся микра, а не кусочек. Защёлкивается это говно 100%. И по превышению dU/dT и от выбросов обратной полярности при неаккуратной разводке. Добавлено: Tue Mar 22, 2022 1:26 am |
Здравствуйте! Извините, что поднимаю эту тему, однако хочется собрать полумостовой строчник. В общем, нарисовал такую схему, будет ли работать, есть ли серьёзные косяки? Добавлено: Tue Nov 22, 2022 12:28 am
|
По дровам на рассыпухе не подскажу, не собирал. Если есть уже все детали под них, попробуй. Если пока их нет, то советую взять готовые дрова tc4420, и дальше также ставим ГДТ, с развязкой первички ГДТ через 1 мкФ. Осциллограф для настройки строго желателен. Добавлено: Tue Nov 22, 2022 8:49 am |
Денис писал(а): По дровам на рассыпухе не подскажу Я подскажу. В таком исполнении будет сквозить. Транзисторы Q1-Q4 нужно заменить фетами соответствующей проводимости и аналогичного типа с Q5-Q8. R6, R7 уменьшить до 10 Ом и перед каждым драйвером поставить аналогично по 10 Ом. Тогда будет нормально работать. Хоть и выбор фетов для данного применения избыточен. Добавлено: Tue Nov 22, 2022 9:14 am |
Денис писал(а): готовые дрова tc4420 Из интегральных дров только ir2110 есть, но отзывы о ней не очень. Думаю tc4420 сложно будет найти, осцил есть Добавлено: Tue Nov 22, 2022 10:49 pm |
Seriyvolk писал(а): будет сквозить Ок. Вообще такой драйвер на комплементарных парах биполяров и полевиков видел в сварочных инверторах-"трёхэтажках", да и в индукционке Groz'ы он неплохо себя показал. Кстати, какие конденсаторы лучше использовать в обвязке микры и дров, керамику или плёнки? Добавлено: Tue Nov 22, 2022 10:57 pm
|
Керамику Добавлено: Wed Nov 23, 2022 12:08 am |
Ай донт кноу куды написать. Сюда, по-моему наиболее подходяще. Давно терзает мысль, как удавить эффект Миллера. Пока сам не пробовал, но мысль на схеме. Просто каскод. Это только идея, а не реализация. Нижние феты низковольтные, у них сопротивление единицы миллиом. На старых мамках таких полно. Критику - аффтар-мудак восприму с удовольствием, но только с дополнением Патамучто. Добавлено: Mon Aug 18, 2025 10:58 pm
|
Michael писал(а): Давно терзает мысль, как удавить эффект Миллера От того, что ты что-то задавишь на затворе, весь кристалл фета у тебя не начнёт открываться одновременно, и в таком случае это прямой путь к фейерверку. Просто нужно выбирать адекватные номиналы затворных резисторов. Добавлено: Tue Aug 19, 2025 8:12 am |
Управление затвором тяжелого высоковольтного транзистора требует прилично мощности. Делитель надо толстый, особенно высока будет мощность верхних резисторов. Бывают готовые силовые каскоды в корпусах TO247 на карбиде кремния. Там вроде верхний мощный высоковольтный полевик нормально-открытый, и нижний низковольтный нормально закрытый, разумеется на такой же ток, как и верхний. Затвор главного верхнего транзистора заземлен через затворный резистор, и верхнего мощного резистора подпитки не требуется. Но они стоят денег. Добавлено: Wed Aug 20, 2025 1:34 am |
Так это не рабочая схема, а только мысли вслух. Как работает каскод в линейном режиме - понятно. А вот как в ключевом режиме будет вести себя открытый высоковольтный фет при прекращении тока истока, не совсем. Добавлено: Wed Aug 20, 2025 8:57 am |
С трудом нашел normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET UF3SC120009K4S normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET UF3C065040T3S SiC Combo JFET Technical Overview AND90336 Добавлено: Wed Aug 20, 2025 9:23 am |
Доктор Зло писал(а): Управление затвором тяжелого высоковольтного транзистора требует прилично мощности. Мощность нужна на заряд-разряд затворной емкости без намека на рекуперацию, итого по переменке. По постоянке затвор ничего не жрет, так что конденсатор будет держать нужное напряжение независимо, толстый делитель или тощий. Добавлено: Wed Aug 20, 2025 10:23 am |
Да, пожалуй, подзарядится от рабочего тока, если он больше затворного. А если меньше, то завалится выключение. Но лучше бы делитель отдельно питать, на стоке не всегда +питания, и среднее напряжение может меняться. Или стабилитрон на емкость вместо нижнего резистора. Добавлено: Wed Aug 20, 2025 1:54 pm |
Видел каскод в обратноходовом ИИП под 3х380, т.е. шиной постоянного тока =540В. Там нижний ключ был полевик, верхний IGBT, оба ключа на 600В. В момент обратного хода IGBT фиксировал напряжение на стоке на уровне =540В, на коллекторе IGBT был как раз выброс на уровне 800-900В относительно минусовой шины и порядка 300 коллектор-эмиттер. В общем, такой фокус исключительно, чтобы на 1200В ключи не ставить. Довольно редкая и экзотическая вещь. Добавлено: Wed Aug 20, 2025 8:11 pm |
Вот тут самое интересное - что подавалось на затвор IGBT. А то начинаю в уме, как Тесла, моделировать свою схему, так получается квадратный трехчлен - не то что написать, представить не могу. Добавлено: Wed Aug 20, 2025 10:55 pm |
Тут еще такой момент. Верхний транзистор скорее всего медленнее нижнего, он высоковольтный. Соответственно пока верхний не закроется, весь рабочий ток будет идти через уже закрытый нижний, то есть в лавинном режиме. Это дополнительный вклад в нагрев нижнего. Более мощный драйвер с дополнительной емкостью на затворе, в 2-5 раз больше рабочего заряда затвора, грелся бы меньше. Но все же любопытно, может попробую, лень бы побороть... Michael писал(а): что подавалось на затвор IGBT Да, интересно бы схему глянуть. Добавлено: Wed Aug 20, 2025 11:09 pm |
Схема не сохранилась, затвор IGBT был под плавающим потенциалом. Думаю над воссозданием этой схемы, т.к. с 1200В ключами сложно, а блочок питания от шины постоянного тока =540В нужен. Добавлено: Thu Aug 21, 2025 8:47 pm |
Уже ж вроде было про каскоды, я даже наверное ссылку кидал... У ST были такие штуки, и в апноутах объяснялось, как оно работает: https://www.google.com/url?sa=t&source=web&a...6QCkPNkZ0QhEJ_G9_ Добавлено: Thu Aug 28, 2025 8:12 am |
|
Лицензионное соглашение (c)Flyback.org.ru Российское общество любителей высоких напряжений. Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации. |
