>Только вот еще и возрастет риск угробить транзистор Не больше чем при юзании +/-18 на транзисторах с допустимым Vga +/-20. Добавлено: Sat Feb 20, 2010 3:28 pm |
Тоже интересуюсь разгоном IGBT в плане быстродействия и способности пропускать большие импульсные токи. Буржуи успешно разгоняли 30 вольтами мощный IGBT с максимальным по даташиту затворным напряжением 20 В: http://citeseerx.ist.psu.edu/viewdoc/download?d...rep1&type=pdf Кроме того, там использовали 20-амперный драйвер DEIC420 вообще без затворного резистора, пишут, что для импульсного режима и транзистора в таком копрусе это допустимо. И протащили в результате, как пишут, пиковый ток в 1400 A через транзюк с максимумом 120 A по даташиту. При этом время разгона этого тока составило 0.4 мкс (на одновитковую индуктивную нагрузку) против указанного в даташите rise time 2.4 мкс с затворным резистором 120 Ом. Получается, возможности приборов намного шире, чем по даташиту. Как известно, слишком маленький затворный резистор (вплоть до его отсутствия) чреват защелкиванием IGBT, однако у них такого не происходило. Я тоже пробовал управлять транзюком IRGP30B120 без затворного резистора 14-амперным драйвером, при коммутации относительно небольшого напряжения (300 В) всё работает, хочу попробовать на более высоких напряжениях. Вроде как в последнее время с тенденцией к защелкиванию успешно борятся, получается, для повышения быстродействия затворное сопротивление можно сводить к минимуму или вообще убирать? Или тут еще могут быть какие-то подводные камни? Добавлено: Thu Dec 23, 2010 4:36 pm |
Лицензионное соглашение (c)Flyback.org.ru Российское общество любителей высоких напряжений. Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации. |