Ivani писал(а): похоже N серия в M122 корпусе - пасиба, ! эти документы видел, но все равно! Добавлено: Sun Aug 14, 2016 11:49 am |
Недорогие IGBT сделают всех по скорости?: http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-SGB15N60H...50112b428495c3dbf - взял таких парочку. Они без обратного (паразитного) диода, т.е. в неподключенном состоянии вообще ни с какой ни на какую ногу не звонятся, пока на гейт напряжение не подано. Так понимаю, что обратное напряжение эммитер-коллектор в минус может до -600 вольт уходить? Диода-то нету? Или нельзя - сгорит? Еще вопрос, у полевиков есть параметр dU/dt, 5 - 15 вольт на нс, иначе "борода" при выключении растет. У IGBT этот параметр не актуален? Добавлено: Thu Sep 01, 2016 12:02 am |
У почти всех ИГБТ с алиэкспресса нет внутреннего диода Однако, если не поставить внешний быстрый диод - сгорают частенько в инверторах. Для скорости закрытия ИГБТ в даташитах есть временнЫе параметры, смотри показатели типа Fall time и Turn-off delay time. Добавлено: Thu Sep 01, 2016 12:59 am |
При чём тут алиэкспресс и китайцы вообще? "Китайцы зажали диод" Доку по ссылке от Инфиниона читал? Там транзистор БЕЗ диода изображен, и это правильно. Быстрые ИГБТ последнее время без диодов делают, диод там паразитный в основном был. Как они это реализуют, непонятно. Может в транзистор на коллекторе диод Шоттки внутренний наращивают, мож еще как. Вроде проскочило что максимум 18 - 20 вольт обратного выдерживают, в старых даташитах было. В новых - ни слова про обратное напряжение. Для этих ИГБТ диоды внешние супербыстрые можно ставить хоть обставиться, хоть на 18 нс. "Fall time" и "Turn-off delay time" - к параметру "Peak Diode Recovery dv/dt" отношения не имеет. Добавлено: Thu Sep 01, 2016 11:19 am |
sergh писал(а): Там транзистор БЕЗ диода изображен, и это правильно. Быстрые ИГБТ последнее время без диодов делают, диод там паразитный в основном был. Паразитные диоды только в фетах. В игбт если и есть диод, то это ВСЕГДА отдельный кристалл. Добавлено: Thu Sep 01, 2016 12:36 pm |
Хорошо, пусть так. Но отсутствие диода в конкретно взятом IGBT соответствует даташиту производителя, и никакого обмана китайцами тут нет. Те диоды, которые по дефолту в соответствующих диодных IGBT, не сильно быстрые, можно и быстрее найти. И в некоторых схемах они особо и не нужны, только лишняя емкость на выходе от них. Вопрос в другом, допускает ли IGBT без диода переполюсовку напряжения, т.е. минус на коллекторе, если допускает, то насколько. Добавлено: Thu Sep 01, 2016 5:39 pm |
Вольт на 20, потом дохнет. Добавлено: Thu Sep 01, 2016 8:19 pm |
sergh писал(а): Вопрос в другом, допускает ли IGBT без диода переполюсовку напряжения, т.е. минус на коллекторе, если допускает, то насколько. Это же по сути обычный биполяр. А для биполяров типичное предельное обратное напряжение лежит в пределах 5-7 вольт. Возможно, иж-и выдержат и немного больше, но это будет для них далеко не штатным режимом. Добавлено: Thu Sep 01, 2016 8:42 pm |
Tan назвал верную цифру, глянь HGTG30N60A4 - там как раз 20 вольт указано... Добавлено: Thu Sep 01, 2016 10:20 pm |
https://www.fairchildsemi.com/datasheets/HG/HGTG30N60A4.pdf Да действительно, на этот транзистор есть, -20 вольт на коллекторе. Но при токе -10 миллиампер. Т.е. при -9 миллиамперах еще не пробьет? Это к тому что если последовательно с индуктивной нагрузкой к коллектору будет стоять внешний ультрафаст, то при -9 миллиампер или около того он закроется и обратное напряжение на коллектор не пропустит, и можно паралельно эммитер-коллектор доп. диод не ставить, если схема резонансная? Добавлено: Thu Sep 01, 2016 11:21 pm |
КП902 вроде сток-исток не звонится в обоих направлениях? КП901, КП904 - звонятся как обычные МОСФЕТы. Добавлено: Wed Sep 07, 2016 9:41 pm |
Вот такие IRF820 вынул из балласта - полумоста на ir2153. Добавлено: Tue Jun 20, 2017 7:26 pm
|
Это ещё что, у меня тут 25 шт. BUZ10 из магазина, новые, и все бракованные! Звонятся все как двойные диоды... Добавлено: Tue Jun 20, 2017 7:33 pm |
прибор видимо определить не может.У меня так же определился рабочий тиристор. Добавлено: Tue Jun 20, 2017 7:33 pm |
Все прибор может, их так покалечило, выдернул из коммутатора нагрузок такиеже - прибор все нормально измерил, воткнул в балласт и он завелся. Добавлено: Tue Jun 20, 2017 7:59 pm |
Ну и какого хера то ? Или я что то в этой жизни не понимаю ? Для тех, кто не въехал: После въеба инвертора, решил поменять транзисторы, выровнял кривизну прилегающей поверхности радиатора ну и дернуло меня проверить ровность флянца транзисторов. И что за нахуй то такой ? У всех место кристала вогнуто! Это что теперь все транзисторы зашливовывать нужно ? P.S. транзисторы On Semiconductor 50N60 оригинальные. На китай хлам даже бы не залупался, там и так все ясно Добавлено: Sun Aug 06, 2017 5:49 pm
|
Пизда Блять все веселее и веселее.. Добавлено: Sun Aug 06, 2017 6:12 pm |
откуда такой оригинал ? где те транзисторы что стояли в инверторе ? Добавлено: Sun Aug 06, 2017 9:14 pm |
С терры что-ли. Уже не помню что где покупал. Со снятными с инвертора такая же херня. Полировка показывает яму в районе кристалла. На ощупь все это конечно не ощущается. Там доли миллиметра. Но вот термоконтакт спасибо не скажет Добавлено: Sun Aug 06, 2017 9:41 pm |
Да не парься ты так, вылетели они у тебя совсем не из-за кривизны подошвы. И эти тоже не из-за неё засиланят) Добавлено: Sun Aug 06, 2017 10:16 pm |
хз.. мне попадались гнутые наоборот Добавлено: Sun Aug 06, 2017 11:16 pm |
Hellbringer писал(а): Да не парься ты так, вылетели они у тебя совсем не из-за кривизны подошвы. И эти тоже не из-за неё засиланят) Я в курсе. Вылет был всего лишь причиной обнаруженной хуеты с транзисторами. Тем не менее.... Добавлено: Mon Aug 07, 2017 9:08 pm |
Возник один вопрос по МОСФЕТам. Есть несколько вариантов транзисторов на один и тот же ток, например 26 А, 500В...600В, но с разными индексами, Например: IXFH26N60Q - 19.27 EUR, IXFH26N50P3 - 10.57 EUR, IXFH26N50 - 16.60 EUR, IXFH26N50Q - 15.60 EUR, IXFH26N50P - 5.72 EUR, IXFH26N60P - 9.36 EUR, IXFH26N60P3 - 6.51 EUR. Q-class, P-polar, P3-polar 3. 500V / 600 V - понятно, но почему при одном и томже токе так различаются цены? Р3 - это более новые транзисторы с улучшеными хар-ками, но их цена значительно ниже чем у других. В чем подвох? ЗЫ: планируемый режим работы - жесткий, частоты от 40 до 80 кГц, полный мост, на активно - индуктивную нагрузку (индукциогнная печка без ФАПЧ). Добавлено: Tue Jan 30, 2018 11:52 am |
корпуса разными могут быть Добавлено: Tue Jan 30, 2018 1:12 pm |
Лицензионное соглашение (c)Flyback.org.ru Российское общество любителей высоких напряжений. Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации. |