Наткнулся на интересную страничку: http://www.iep.uran.ru/naudep/imp/napr/nap_21.html SOS-генераторы http://www.iep.uran.ru/razzr/gener/razr_8.html Кто-нить думал сделать что-то подобное? Добавлено: Fri May 28, 2010 4:43 pm |
А что там делать? были бы SOS- диоды... Добавлено: Fri May 28, 2010 4:52 pm |
Типичная конструкция SOS-диода приведена на рис. 1. Прерыватель представляет собой последовательную сборку элементарных диодов, стянутых между собой диэлектрическими шпильками между двумя выходными пластинами-электродами. Каждый элементарный диод состоит из охладителя, на который напаяно несколько последовательных полупроводниковых структур. Т.е. вроде построено на элементарных диодах Добавлено: Fri May 28, 2010 4:55 pm
|
Ага, видел такое в статье. 600 штук элементарных диодов каждый стоимостью 600р по нынешним ценам. Тем более есть элементарные SOS - диоды, которые набирают до получения требуемых параметров. Добавлено: Fri May 28, 2010 5:07 pm |
Там вроде как на времени обратного восстановления диода игра идёт. Т.е. в идеале диод в одну сторону ток пропускает а в другую - нет. На практике если ток тёк в прямом направлении, то он какое-то время будет течь и в обратном. Потом он "вспоминает" что он диод и этот ток быстренько прерывает в течении неск нс. Вот это время (пока ещё проводит в обратном направлении - десятки, сотни нс, а не время фронта размыкания - единицы нс) и называется временем восстановления. Что-то типа того... Добавлено: Fri May 28, 2010 5:09 pm |
Вот тут пара журналов, там есть статьи по теме. А вообще - все это, бесспорно, интересно. Но не для дома. Добавлено: Fri May 28, 2010 5:25 pm |
На первой ссылке есть схема магнитного компрессора. Интересно можно ли воплотить это в "кустарных" условиях? магнитный компрессор должен формировать импульсы длительностью в несколько сотен нс и с напряжением в сотни кВ. Таким образом, при входном импульсе амплитудой 1 - 2 кВ длительностью 10 - 100 мкс МК должен обеспечить сжатие энергии во времени примерно в 100 раз и повышение напряжения в 100 - 400 раз. Добавлено: Fri May 28, 2010 5:28 pm |
Зависит лишь от наличия нужного феррита. А его нужно много, и довольно редкого. Добавлено: Fri May 28, 2010 5:33 pm |
http://flyback.org.ru/viewtopic.php?p=169452#169452 Классика жанра. Тут и про SOS-диоды, и про магнитную компрессию импульса, и про многое другое интересное. Добавлено: Fri May 28, 2010 5:47 pm |
Почему не для дома? SOS эффект практически в любом диоде получить можно. Более того, от этого эффекта хрен избавишься. Я наблюдал в технологическом диоде в IRF820 и в каком-то HER-e (HER308 вроде) которым пытался заместить этот встроеный диод. Схема проста - сток фета нагружен на паралельный колебательный контур. Питание - 12 вольт. Фет открывается - в индуктивность вкачивается ток. Потом фет закрывается, в результате на стоке скачет флайбек, положительная полуволна собственных колебаний контура в +400 вольт, потом идёт отрицательная, ток которой, естественно, через диод уходит в землю а потом начинается... Так как через диод шёл прямой ток, то он остается открытым какое-то время и в индуктивность снова начинает вкачиваться ток. Потом диод "вспоминает", что ток течёт неправильно и выключается, в результате на стоке опять флайбаковский выброс, и так несколько раз... Т.е. фет разомкнули один раз а пичков штуки 4. Можете проверить кому интересно. Добавлено: Fri May 28, 2010 5:58 pm |
Томские инженеры использовали обычные диоды, для них главное была технология его производства. В их книгах 2004-2005 годов это расписано to DVK: возможно вы наблюдали лавинный пробой Добавлено: Sat May 29, 2010 7:50 pm |
Эти "левые" импульсы от диода зависят. На ультрафасте они шли чаще, амплитуда их убывала быстрее и числом их было поменее. Лавинный пробой в диоде? Добавлено: Mon May 31, 2010 10:36 am |
Картинкой прикрепил: Белкин В.С., Шульженко Г.И. Формирователи мощных наносекундных и пикосекундных импульсов на полупроводниковой элементной базе. - Новосибирск: ИЯФ СО АН СССР, 1990. 36 с. В электронном виде лежит по ссылке http://www.sanechka.nightmail.ru/others.html третьим по счету, выдержка с пятой страницы. "качественное отличие SOS - эффекта от других принципов коммутации в полупроводниковых приборах состоит в том, что развитие процесса обрыва тока происходит в узких высоколегированных областях структуры, база которой заполнена плотной избыточной плазмой. Это обстоятельство и приводит к сочетанию высокой плотности обрываемого тока и наносекундного времени его отключения." Пичугина М.Т. Мощная импульсная энергетика Томск 2005 выдержка со страницы 92 http://www.yourbinar.ru/lib/TEVN_mie.pdf Добавлено: Mon May 31, 2010 7:30 pm
|
Лицензионное соглашение (c)Flyback.org.ru Российское общество любителей высоких напряжений. Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации. |