Здорова всем.Чувствую меня щяс понесут с этим вопросом куда подальше,ну да ладно... Помогите разобраться как работает полевой транзистор(предположим на мой взгляд хороший IRFZ44N) привисти простой пример по его использованию.Как ими пользоваться и питать?Если с биополярниками всё ясно 3 вывода два из которых являются диодами PnP или NpN и тд...которые тупо врубаются куда надо,то тут в полевиках какие то стоки,истоки,затворы ... Добавлено: Fri Sep 10, 2010 11:32 am |
Блийать - это основый нахуй. Иди учи. Всё в книжках давным давно расписано. Иди хоть педивикию почитай http://ru.wikipedia.org/wiki/Полевой_транзистор Добавлено: Fri Sep 10, 2010 11:34 am |
1. Хоровиц, Хилл, "Искусство схемотехники" (есть в библиотеке Флая). 2. Любой учебник по полупроводниковой технике. Если коротко: полевой транзистор оттого так и назван, что проводимость канала между стоком и истоком управляется эл. полем (грубо - потенциалом на затворе). Биполярный же транзистор управляется ТОКОМ, а не НАПРЯЖЕНИЕМ. Это фундаментальная разница. Полевой транзистор ближе по поведению к вакуумной лампе (триоду). qic: терпение, мой друг. Не надо сразу нахуй посылать - некрасиво. Добавлено: Fri Sep 10, 2010 11:37 am |
Ленин, а на сколько глубоко ты хочешь понять принцИп работы полевого транзистора? Если для практики- как сказал Valkyr, + ещё основные характеристики и ограничения освоить. А то ведь можно залезть в дебри квантовой механики и зонной теории полупроводников. Добавлено: Fri Sep 10, 2010 11:58 am |
Бывают с индуцированным каналом и со встроенным - МДП металл-диэлектрик-полупроводник и между затвором и подложкой образуется емкость. Весь смысл в том что напряжение прикладывается между затвором и подложкой - которая обычно соединена с истоком, у транзюков с индуцированным каналом при прикладывании +напряжения на затвор с подложки подтягивается высоколегированный слой с хорошей проводимостью к "контактам" стоку и истоку. Со встроенным каналом - канал уже есть и без всяких напряжений. Добавлено: Fri Sep 10, 2010 12:12 pm |
Полевой транзистор N-типа включается истоком в сторону минуса питания, стоком в сторону плюса. При нулевом напряжении на затворе относительно истока транзистор закрыт, при положительном выше некоторого порога - начинает работать как стабилизатор тока в цепи исток-сток, причём ток может протекать в обе стороны. Чем выше напряжение, тем больше ток. Начиная с некоторого напряжения транзистор полностью открывается - может пропускать максимально допустимый ток, при этом открытый переход ведёт себя как сопротивление. Обычные (не "логические") силовые полевики считаются полностью открытыми при напряжении порядка 12 вольт. У всех силовых полевиков между истоком и стоком включён технологически неустранимый паразитный диод, поэтому в обратную сторону ток может проходить всегда, но при открытом транзисторе - с меньшими потерями (диод закорачивается переходом). При поддержании открытого или закрытого состояния ток в цепи затвора не течёт. однако, у мощных транзисторов затвор имеет существенную ёмкость, поэтому для достаточно быстрого переключения через затвор надо пропустить ток порядка единиц ампер. С полевиками P-типа всё точно так же, но все полярности меняются на противоположные. Добавлено: Fri Sep 10, 2010 12:14 pm |
Спасибо большое всем кто откликнулся!Вообщем то начал уже понимать.Ну как зачем?Просто хотел понять как он работает и как его можно применить(это уже понятно)с пользой в каком нибудь генераторе или устройстве. Добавлено: Fri Sep 10, 2010 2:25 pm |
Добавлено: Fri Sep 10, 2010 6:26 pm |
Да нет ребят все ж нормально, разве никто из вас никода хотя бы раз в жизни не ловил клина? ну в смысле что никак не понимал чего то простого? вот в теме про металлоискатели тоже вроде поверхностно то все элементарно, а на деле же ххх пойми как все оно работает... а тоже поначалу все просто кажется. Добавлено: Fri Sep 10, 2010 6:31 pm |
Сталин у нас уже был, теперь есть и Ленин) Товарищи посоветуйте мне пожалуйста фет, мощный как irfp460 и быстрый как irf840, и чтобы был в платане. Добавлено: Fri Sep 10, 2010 6:54 pm |
Иди и кури даташиты. А перед этим разберись, что ты понимаешь под "быстрый как" Резкий как понос и ароматный как одеколон. Добавлено: Fri Sep 10, 2010 9:34 pm |
Lenin писал(а): Помогите разобраться как работает полевой транзисторМетодичка по ПТ Добавлено: Sat Sep 11, 2010 3:51 am |
2Vortigont: делай человеческое управление и юзай 460... Добавлено: Tue Sep 14, 2010 4:59 am |
В шайтан-генератор 460 не подходит( Добавлено: Tue Sep 14, 2010 7:34 am |
Тупо запаралелить штуки 3 irf840. А что такой шайтан-генератор? Миксер для взбивания кЭфира? Добавлено: Tue Sep 14, 2010 10:22 am |
Добавлено: Tue Sep 14, 2010 3:03 pm |
Ладно - а теперь я спрошу. 1) Возьмем IRFP460 (или скажем что-то вида "30N60") и бесконечно мощный драйвер. 1.1 До скольки мега герц мы сможем тягать наш фет до его разрушения при номинальных токе и напряжении? 1.2 А если резонансная нагрузка а переключение в нуле тока? 2) Возьмем какой либо силовой фет (пусть снова 460, или лучше кирпич). ...Из информации о биполярных транзисторах известно что свердний полупроводник достаточно узкий... На сколько мы сможем маштабировать (в большую сторону) фет/кирпич? Добавлено: Tue Sep 14, 2010 3:25 pm |
1.1 - есть максимальный ток затвора. напряжение на затворе\макс.ток затвора=емкостное сопротивление. из емкости и емкостного сопротивления щитаем частоту. это ограничение по частоте конструктивное так сказать. А если резонансная нагрузка а переключение в нуле тока? а при номинальном токе и напряжении мы можем тягать до номинальной частоты -) К.О. говорит что китайцы итак вписали в датащиты максимально возможные цыфры, чтоб завлеч покупателей. еще больше врядли раскочегаришь без возможночти взрыва 1.2. до номинального тока и напряжения -) ибо одновременно номинальный ток и номинальное напряжение фет не особо то и выдерживает. напряжение указано на закрытом фете, а ток - максимальный ток при открытом фете (в статическом режиме). именно переключением в нуле только и можно достичь датащитных цыфр 2. масштабировать спараллеливанием феты можно имхо до любого предела (лишь бы раскачивалось, да задержки сигнала до затвором были одинаковыми, эт на случай когда стопицот фетов с длиииннющим проводами и большими частотами) Добавлено: Tue Sep 14, 2010 4:13 pm |
Ясно. Спасибо. Только на счет маштабирования - я имел ввиду в прямом смысле. Ну, теоретически - на сколько мы можем увеличить фет в размерах? Добавлено: Tue Sep 14, 2010 4:51 pm |
1.1 До скольки мега герц мы сможем тягать наш фет до его разрушения при номинальных токе и напряжении? Максимальая рабочая частота, при которой траистор еще работает как транзистор, определяется суммой rise time + fall time. В линейном режиме частота может быть и выше. Но усиление с ростом частоты падает, поэтому использование мощных обычных MOSFET оправданно на частотах до 30 МГц. В любом случае разрушение транзистора будет тоьлко от перегрева. 1.2 А если резонансная нагрузка а переключение в нуле тока? А без разницы. На высокой частоте транзистор будет практически в активном режиме работать. Переключение в нуле несколько снизит потери, но принципиально ничего не поменяется. На сколько мы сможем маштабировать (в большую сторону) фет/кирпич? Насоклько угодно. MOSFET внутри состоит и большого числа маломощных транзисторов. Сами корпуса можно ставить впараллель тем же образом. Добавлено: Tue Sep 14, 2010 10:47 pm |
Что-что? Внутри кристалл в виде матрицы?! Просто биполяры маштабировать не выйдет. А вот как с фетами. И еще раз - под маштабированием я понимаю тупое увеличение размеров фета при производстве. Добавлено: Tue Sep 14, 2010 11:02 pm |
огромный кристал с одним транзистором на весь корпус никто не выращивает. внутри мощных транзисторов несколько маломощных кристаллов. уж непомню в каких, но в какихто IRFках в некоторых датащитах было указано что внутри 4 штучки спараллеленых. в "кирпичах" их должно быть по 100500 -) упрощенно если транзистор в 4 раза мощнее это значит что в нем в 4 раза больше элементарных маленьких транзисторов. биполяры кста тож параллелятся, но только когда они выращены на одном куске кремния и обладают идентичными параметрами. иначе из-за отрицательного ТКС въеб неизбежен. и диоды, и светодиоды, да много еще pn-перходной поебни замечательно параллелится внутри единого корпуса. так шта это только свиду это одна деталька..... полупроводники со слоновьих размеров переходами - советские тиристоры. а все остальное - куча более мелких в 99% случаев Добавлено: Tue Sep 14, 2010 11:09 pm |
Вот оно как. Даже не подозревал. Спасибо за информацию. Добавлено: Tue Sep 14, 2010 11:21 pm |
Лицензионное соглашение (c)Flyback.org.ru Российское общество любителей высоких напряжений. Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации. |