Известно, что в каде можно редактировать параметры элементов, вот заинтересовало, нельзя ли сделать модель ключа, которую можно было бы редактировать не с помощью ковыряния текстового файла, а непосредственно в модели.Т.е. щёлкаешь на неё и выпадает меню со вводом полной таблицы параметров.Кто-нибудь из присутствующих может такое накодить?А то часто бывает, что подходящей модели нет, или же нужно перерыть кучу папок, а это аццки долго и неудобно.Возможно такое? Добавлено: Fri Apr 15, 2011 1:19 am |
не знаю что за кад ты имел ввидУ, но в Micro-Cap 10 насколько я помню, всё делается без особых Усилий. Добавлено: Fri Apr 15, 2011 7:32 am |
SwCAD LTspice IV Добавлено: Fri Apr 15, 2011 1:02 pm |
не сталкивался с данной программой. СУдя по её размерУ библиотек там мало, хотя могУ ошибаться. Добавлено: Fri Apr 15, 2011 4:50 pm |
Пружина А какие параметры ты хочешь указывать? Вот два классических примера: слева - библиотечный по простой модели, справа - внешний по сложной модели. Добавлено: Sun Apr 17, 2011 1:53 am |
Для тех, кто в бронепоезде(т.е. для меня) - как так сделано, что всё описание на схеме и второе - хотелось бы знать полную расшифровку модели. Параметры интересуют многие.Ёмкости, сопротивление, временные характеристики ключа и восстановления диода(про это ты мне уже отвечал), напряжение стабилитрона...Вроде всё, что вспомнил, но вероятно я что то важное забыл или никогда не знал.Разве что индуктивности выводов не имеют принципиального значения(из-за монтажа). Добавлено: Sun Apr 17, 2011 9:26 pm |
Описание на схеме - весьма просто: вставляется под видом "SPICE directive" описание нужной модели (конкретно это - из lib\sub\irfp450a.spi), затем кидается подходящий символ компонента (в примере - XNMOS) и ему в строке SpiceModel указывается имя модели. В прилагаемом примере я насколько смог изобразил то, что описано в .SUBCKT irfp460a В тестовой модели изображён MOSFET с кучкой обвязки, приближающей полуидеальный кристалл к реальному. Ёмкости задаются в основном в модели транзистора в фарадах на метр ширины канала (Cgso, Cgdo), затем указывается масштаб канала реального транзистора ( L=100u W=100u). При этом сам канал-транзистор может задаваться множеством способов, см. "M. MOSFET" в справке. Сопротивление канала в данной конкретной модели складывается из сопротивления объявленного транзистора и RD на 0,17 Ом. Добавлено: Tue May 03, 2011 10:20 pm |
Лицензионное соглашение (c)Flyback.org.ru Российское общество любителей высоких напряжений. Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации. |