Решил сделать. По следам Square current, так сказать Сделал с размагничивающей обмоткой. Может работать с коэффициетом заполнения до 50 % Питание пока 12в. Частота 144 кГц. Фронт получился где-то 150-200 нс, спад 50 нс. Как ещё можно сузить фронт? Витки GDT крутил - не особо помагает. Небольшая проблема возникает при коэффициенте заполнения ниже 50% - вылазит небольший подъём величиной где-то 1В перед фронтом на затворе VT6. Начало подъёма совпадает с падением напряжения на первичке GDT до уровня питания (индуктивность полностью разряжается во время паузы). Заметная задержка сигнала относительно входа - тормозит повторитель на VT1 из-зи рассасывания неосновных носителей. Как это устранить? Может какие более быстрые транзисторы юзать? Добавлено: Fri Feb 24, 2012 2:24 am |
это обычный прямоходовой преобразователь и соот. все особенности его известны в должной мере. Для примера посмотри: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-939.pdf + AND8039-D.PDF от "ON Semiconductor" и т.д. насчёт задержки. Может не вводить транзистор в насыщение, применив транзистор Шоттки? Добавлено: Fri Feb 24, 2012 9:13 am |
Ну я думаю что цепочку R1 R2, образующую делитель, можно или убрать совсем, или R1 оставить и уменьшить до 20-51Ом. Транзистор же токовая вещь, а R1 ограничивает и без того маленький выходной ток того чем ты тактируешь схему. R3 можно уменьшить до 100-150 Ом. Небольшой подъем - это к трансформатору. Если сделать намотку получшее то и эта проблема несколько разрешится. Добавлено: Fri Feb 24, 2012 10:41 am |
Подъём появляется не когда на первичке напряжение падает до уровня питания, а на стоке VT4. Мне кажется он просто не до конца закрывается из-за того что на эмиттер-коллектор VT3 есть падение напряжения. Может так быть? Картинку потом покажу. И где взять эти транзистор Шоттки? Марку не подскажешь? Добавлено: Fri Feb 24, 2012 11:02 am |
Транзистор Шоттки - составная конструкция. Я голосую за полевик 2N7000/7002. Добавлено: Fri Feb 24, 2012 8:58 pm |
[Abramov] в цепь база - коллектор VT1 поставь диод Шоттки и всё. Это исключит насыщение транзистора и задержки переключения станут гораздо ниже, что позволит повысить быстродействие. Основы можешь взять от ТТЛШ-логики. Добавлено: Fri Feb 24, 2012 9:07 pm
|
Ну я какбы догадывался что эквивалентная схема такая, но будет ли работать? Сдаётся мне что интегрированный в структуру барьер Шоттки и внешний диод - не совсем одно и то же. Но попробую. Спасибо. Мжет и на полевики перейду. Глядишь - подъём пропадёт. Добавлено: Fri Feb 24, 2012 9:42 pm |
всё одно. Делай и не переживай, т.к. до сих пор применяют данное решение на дискретных элементах. Добавлено: Fri Feb 24, 2012 9:54 pm |
Abramov писал(а): Фронт получился где-то 150-200 нс, спад 50 нс. Помоему это жуткое, недостойное ничего буээ. Гдт ближе всего к ШПТЛ, и импеданс входа следует держать как можно меньшим, и уж тем более не бросать задачу разряда затвора на Lmagnetizing. Добавлено: Sat Feb 25, 2012 1:56 am |
Ой. У меня VT5 не так включён как я нарисовал. А так
Добавлено: Sat Feb 25, 2012 1:06 pm
|
[Abramov] почему VT5 не так был включен? Есть и такая реализация, как раз для большого коэффициента заполнения. Что тебя смущает? Есть и с 2-мя транзисторами зеркально, так даже лучше будет. Вот только в этом варианте есть 2-е разных схемы, но чем они отличаются, я пока не знаю. Возможно и ошибка. Надо смотреть. Могу предложить тебе ещё один вариант (см. вложение). На практике я его не использовал. Добавлено: Sat Feb 25, 2012 8:21 pm
|
http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-950.pdf Они все здесь. Работать будет, но по другому. Добавлено: Sat Feb 25, 2012 9:23 pm |
Транзистор Шоттки конечно не заработал. Что с диодом что без - один хрен. Ну да ладно. Подъём оказывается устраняется добавлением нагрузосного резистора ом 100 на вторичка GDT. Поубавил витков в трансформаторе, поставил параллельно VD2 дохленький Шоттки (тот с котрым транзистор делал ), после чего на затворе IRG4PC50 получился фронт 80-85 нс при напряжении 12 В (140В/мкс) и без затворного резистора, спад 40 нс. Мне кажется это предел для моего транса, да и мне больше не надо. Вывод - VD2 должен быть диод шоттки, ну или какой ещё шибко быстрый, надо будет нормальный поставить. Добавлено: Mon Feb 27, 2012 2:25 am
|
Abramov писал(а): Транзистор Шоттки конечно не заработал. т.е. ты сравнил быстродействие данного транзистора до и после и посмотрел режимы его работы? Добавлено: Mon Feb 27, 2012 10:03 am |
Нене, Сифун. Разряжается там нормально за счет накопленного в магнитопроводе потока и обмотки размагничивания. Там пара из рабочего импульса и отрицательного противоимпульса с небольшим выбросом на фронте из-за рассеяния. Я такую херню делал, о чем писал в треде по ДРВшный ГДТ. С антизвонным резиком, про который я тоже писал, - отличная штука для работы на малых пачках и одиночных импульсах. Впрочем, курим импульсные ячейки автоматики 60-х годов. UPD Делалось, правда, без дополнительной хрени по горячей стороне. Мож оно фронт гадит? Добавлено: Mon Feb 27, 2012 12:58 pm |
Лицензионное соглашение (c)Flyback.org.ru Российское общество любителей высоких напряжений. Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации. |