Список разделов Flyback.org.ru » Учебная часть им. тов. Чайникова » Насыщение и динамические хар-ки биполярного транзистора
Тему сейчас просматривают - зарегистрированных: 0, скрытых: 0 и гостей: 2
Зарегестрированные - Нет
Ответить с цитатой

Dalamar
 


Пружина писал(а):
Само собой, но мотать несколько тысяч витков даже под учетверитель я охуею.
А если готовый трансформатор взять? 5 вольт с него напрямую, а 10 и 180 делаются простейшим блокингом на колечке или мелком Ш и КТ815. Это не сгорит.

Ну или вообще 220 не заводить внутрь часов. Внешнее питание от нестабилизированного источника 6-9В.

Добавлено: Sun Dec 02, 2018 1:48 pm
Ответить с цитатой

Seriy{tan}
Магистр


Да че вы до человека доебались со своими трансформаторами?
Если говорить о переключении биполяров на высокой частоте, то, как уже было сказано выше, целесообразно использовать обратное смещение. Собственно в автогенераторном полумосте, о котором аффтор вскользь упоминает, именно оно и используется. Вторичные обмотки коммутационного транса включены на базы биполяров в противофазе.
Я не интересовался, каков придел биполяров, но на 30 кГц на первичке полумоста был вполне себе годный меандр с ровными фронтами.
И полумосты эти вполне собираются из совковой рассыпухи, схему в теме приводили. Нужно лишь пересчитать трансы и с запуском поколдовать возможно придется. А лучше сразу впилить туда динистор и не морочить голову.

Hellbringer писал(а):
Обратноходы, кстати, в 3УСЦТ работали вполне прилично
Ага, и свистели на всю хату. И свистом этим срали на выход.

Добавлено: Sun Dec 02, 2018 2:51 pm
Ответить с цитатой

Hellbringer
 


Offtopic:
Тебе-то откуда это знать, во времена описываемой техники, тебя ещё и в планах не было смех


Добавлено: Sun Dec 02, 2018 6:07 pm
Ответить с цитатой

Seriy{tan}
Магистр


Ты дурак?

Добавлено: Sun Dec 02, 2018 6:45 pm
Ответить с цитатой

Пружина
Экзорцист


Насколько я понял, кроме ненасыщенного ключа и регулирования тока базы нет простых способов предотвратить глубокое насыщение, но отрицательное смещение способствует ускорению запирания?

Интересно, если изготовить подходящий дроссель не выйдет, получится ли сделать внешнее возбуждение от какой-нибудь ЛА3 или типа того? Там ведь нужно менее 10мА на управление, должно ведь проканать?

Добавлено: Mon Dec 03, 2018 8:57 am
Ответить с цитатой

Анна
 


От NE555/ 1006ВИ1 Smile

Добавлено: Mon Dec 03, 2018 9:23 am
Ответить с цитатой

Seriy{tan}
Магистр


Пружина писал(а):
В схеме сберегаек есть эмиттерные резисторы менее 1 Ом, они как-то противодействуют насыщению, или имеют иное назначение? Не смог найти никакой инфы об этом.

Тоже гуглил, и тоже не понял, нафиг они там нужны. Единственная возможная их задача - ограничения тока через транзистор. Зачем? Да в общем-то и незачем. Принцип работы устройства не предполагает никакой нужды в этом.
То же самое и с базовыми резюками. Зачем еще как-то ограничивать ток базы, если его можно изначально задать напряжением Б-Э? Это справедливо, конечно, если есть такая возможность.

Пружина писал(а):
если изготовить подходящий дроссель не выйдет
Какой еще дроссель?

Добавлено: Mon Dec 03, 2018 11:00 am
Ответить с цитатой

Ivani
 


Seriy{tan} писал(а):
схеме сберегаек есть эмиттерные резисторы менее 1 Ом,Сквозняк они хорошо ограничивают и могут ток нагрузки ограничивать, чтоб понять что они делают нужно преобразователь от сберегайки просмотреть на всех режимах.

Добавлено: Mon Dec 03, 2018 11:10 am
Ответить с цитатой

Seriy{tan}
Магистр


Ivani писал(а):
Сквозняк они хорошо ограничивают
А есть ли в этом необходимость, учитывая микросекундные тайминги современных биполяров?

Добавлено: Mon Dec 03, 2018 11:32 am
Ответить с цитатой

Behram
 


Seriy{tan} писал(а):
если его можно изначально задать напряжением Б-Э?
А потом транзистор нагреется и ток уплывет.

Добавлено: Mon Dec 03, 2018 1:48 pm
Ответить с цитатой

Пружина
Экзорцист


Почитал рекомендованную книгу, судя по всему, эмиттерные резисторы это т.н. ключ-звезда, отличающийся от схемы ОЭ большим быстродействием. К сожалению описание весьма скудное там дано, однако предположение моё оказалось верным.

Добавлено: Mon Dec 03, 2018 3:23 pm
Ответить с цитатой

Seriy{tan}
Магистр


Behram писал(а):
А потом транзистор нагреется и ток уплывет.
И далеко ли уплывет?
Кроме того, как мне кажется, автогены в принципе не стоит применять в ситуации, когда ключи могут хоть сколь-нибудь ощутимо нагреться.))

Пружина писал(а):
Почитал рекомендованную книгу
Какая страница?

Добавлено: Mon Dec 03, 2018 3:30 pm
Ответить с цитатой

Dizel
Хаотично добрый эльф


Seriy{tan} писал(а):
И далеко ли уплывет? - далеко...

Добавлено: Mon Dec 03, 2018 6:33 pm
Ответить с цитатой

Пружина
Экзорцист


В моей версии книги 496.

Добавлено: Mon Dec 03, 2018 7:04 pm
Ответить с цитатой

Seriy{tan}
Магистр


Хороша конечно книжка, только я не знаю, для кого она написана. Обоснование тех или иных суждений приводится в виде формул, которые что бы понять, нужно прочитать всю остальную книгу до этих формул. "Физику" процессов аффтор почему-то решил не писать. И для меня это плохо, ибо я так нихуя и не понял, почему в присутствии эмиттерного резюка, запирающий сигнал на базе приводит к УВЕЛИЧЕНИЮ коллекторного тока. Тем более учитывая, что транзистор УЖЕ находится в режиме НАСЫЩЕНИЯ, т.е. полностью открыт - дальше некуда.
И какого хуя граничный заряд при этом увеличивается - я тоже нихуя не понял. Сначала вроде должен рассосаться избыточный заряд(транз перейдет из насыщения в активный режим с большим током коллектора), а только затем можно рассасывать заряд с "граничного" уровня до полного закрытия транзистора.

Есть предположение, что под формулировкой "приводит к УВЕЛИЧЕНИЮ коллекторного тока и граничного заряда" аффтор имел ввиду какой-то свой, особенный процесс. Возможно, например, он имел ввиду, что граница активного режима сместится вверх...

Есть тут переводчики с "сухого инженерного" на "человеческий"?

Добавлено: Wed Dec 05, 2018 2:14 pm
Ответить с цитатой

N1X
 


Seriy{tan} писал(а):
Есть тут переводчики с "сухого инженерного" на "человеческий"?
Наверное те, кто учились по Лившицу и Ландау )))

Добавлено: Thu Dec 06, 2018 12:02 am
Ответить с цитатой

Dizel
Хаотично добрый эльф


а что за книжка ?

Добавлено: Thu Dec 06, 2018 1:26 am
Ответить с цитатой

Seriy{tan}
Магистр


Entladung писал(а):
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем, 1977

Добавлено: Thu Dec 06, 2018 1:31 am
Ответить с цитатой

Dizel
Хаотично добрый эльф


Seriy{tan} писал(а):
запирающий сигнал на базе приводит к УВЕЛИЧЕНИЮ коллекторного тока. Тем более учитывая, что транзистор УЖЕ находится в режиме НАСЫЩЕНИЯ, т.е. полностью открыт - дальше некуда. -и посмотрел.... дкмается это как раз понятно... с коллектора ток вытягивается в базу.. это как восстановление оч медленного диода.... только это касается очень старых транзисторов, очень медленных ....
возможно и не прав в своих рассуждениях....
....и книжка не интересная , не инженерная...
почитайте Мелешина, Миловзорова, Ераносяна, Баса и прочих, которые практики - там совсем другая подача материала...
-------
касаемо БП - есть варианты....
Пружина посмотри схемы импульсных БП для компутеров старых совецких... спектрумов и прочих... там и комплектуха и прочее как раз подойдет...
второй вариант - сделать мелкий задающий генератор на колечке и паре транзисторов (а ля схемы преобразователей электроудочек....)... а от этого генератора раскачать 2 более мощных транзистора ...
это будет без стабилизации , просто электронный трансформатор - но будет работать...

Добавлено: Thu Dec 06, 2018 2:48 pm
Ответить с цитатой

Пружина
Экзорцист


Dizel писал(а):
почитайте Мелешина, Миловзорова, Ераносяна, Баса и прочих, которые практики - там совсем другая подача материала... Можешь конкретное что-то порекомендовать?Dizel писал(а):
второй вариант - сделать мелкий задающий генератор на колечке и паре транзисторов (а ля схемы преобразователей электроудочек....)... а от этого генератора раскачать 2 более мощных транзистора ... Думал сделать так, если с дросселем не выйдет.Dizel писал(а):
это будет без стабилизации , просто электронный трансформатор - но будет работать...
Стабилизатор будет перед преобразователем, таким образом можно будет по 5В обойтись без кренки, а по +200в на стабилизацию наплевать.

Добавлено: Thu Dec 06, 2018 4:47 pm
Ответить с цитатой

Seriy{tan}
Магистр


Я кажется понял зачем там нужен резюк.

На нем падает напряжение(от напряжения питания), которое во время запирания складывается с базовым напряжением, из-за чего базовый ток растет и транзистор закрывается быстрее(в первую очередь на этапе рассасывания избыточного заряда). В то же время, во время открытия транзистора это напряжение плавно растет, действует в противофазу с базовым напряжением, ток базы уменьшается, что в итоге и замедляет открытие транзистора, особенно на этапе накопления избыточного заряда. Таким образом, запирающий сигнал получается "сильнее" отпирающего, что и требуется для биполяров(кои открываются быстрее чем закрываются).

Правда это идет на пользу лишь схемам с PNP транзисторами. Ибо с NPN получается обратный эффект, время открытия уменьшается, а время закрытия(которое и так больше времени открытия) еще больше увеличивается.

Как эти резюки рассчитывать - думаю понятно. Для начала рассчитать базовый ток, затем замерить ток и напряжение эмиттера(для PNP) на максимальном режиме работы преобразователя, после чего перебором сопротивления по закону ома найти напряжение, которое, будучи сложенным с базовым, не приведет к превышению максимального значения напряжения База-Эмиттер конкретного транзистора.


Ну че, щито широкая общественность думает относительно данного предположения?


Пружина писал(а):
Думал сделать так, если с дросселем не выйдет.
Какой нахуй дроссель?

Добавлено: Thu Dec 06, 2018 6:42 pm
Ответить с цитатой

Пружина
Экзорцист


Seriy{tan} писал(а):
напряжение(от напряжения питания), которое во время запирания складывается с базовым напряжением, из-за чего базовый ток растет и транзистор закрывается быстрееЯ думал в этом направлении, но внятно всё сложить не получалось. Похоже на правду.
Seriy{tan} писал(а):
Правда это идет на пользу лишь схемам с PNP транзисторами. Ибо с NPN получается обратный эффект, время открытия уменьшается, а время закрытия(которое и так больше времени открытия) еще больше увеличивается.
С чего бы? Не забывай про смену полярности, схемы же полностью эквивалентны. По крайней мере если не вникать в тип носителей заряда в переходах(дырки там всякие).
Seriy{tan} писал(а):
Какой нахуй дроссель?Да чёто туплю, имел в виду насыщающийся тр-р связи.

Добавлено: Thu Dec 06, 2018 11:09 pm
Ответить с цитатой

Seriy{tan}
Магистр


Пружина писал(а):
С чего бы? Не забывай про смену полярности, схемы же полностью эквивалентны.
Точняк. Запарился с этими биполярами.

Пружина писал(а):
насыщающийся тр-р связи.
А щито с ним может не получится? Моточные параметры рассчитываются как для обычного ВЧ транса, только индукцию выбирать с расчетом на насыщение(я брал 0,41 Тл для верности). Ну и вторичные напруги брать учитывая применение базовых резюков.
Потом сопротивлением в первичке этого транса подстраивается рабочая частота.

Все формулы тут:
http://ideyka.narod.ru/TEMA/radio/rf/s2/pit-796.html

Добавлено: Thu Dec 06, 2018 11:32 pm
Ответить с цитатой

Valkyr2003
Copyrighter


Пружина, я уже советовал книгу, из нашей библиотеки. Э. Ромаш "Высокочастотные транзисторные преобразователи". Сам считал насыщающийся трансформатор по ней, все получалось с первого раза. Где-то тетрадь с расчетами лежит.

Добавлено: Fri Dec 07, 2018 10:04 am
Ответить с цитатой

Пружина
Экзорцист


Offtopic:
Благодарю, буду изучать.


Добавлено: Fri Dec 07, 2018 11:47 am
Список разделов Flyback.org.ru » Учебная часть им. тов. Чайникова » Насыщение и динамические хар-ки биполярного транзистора
На страницу Пред.  1, 2, 3, 4, 5, 6  След.     Просмотр темы целиком



Лицензионное соглашение

(c)Flyback.org.ru
Российское общество любителей высоких напряжений.
Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации.